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品牌:WG . 韓國 | 型號:U2N60.U1N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDB6N60 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK3291 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.3W | 最大漏極電流ID:1.6A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:ST/意法 | 型號:STD60NF55D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TRUESEMI | 型號:TSU2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:TRUESEMI | 型號:TSF2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD2N60C FQD2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1.9A | 開啟電壓:600 | 極間電容:4.3

品牌:臺灣UTC | 型號:UTC2N60 | 溝道類型:其他 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:0.1 | 功率:2安培600V | 批號:12+ | 低頻噪聲系數:0.1 | 封裝:TO-251 TO-252

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

產品類型:整流管 | 是否進口:是 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW50N60 | 材料:鍺(Ge) | 封裝:TO-220 | 功耗:11 | 針腳數:3 | 批號:2013 | 類型:其他IC | 功率:11

品牌:SEMIHOW | 型號:HFD2N60S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:SEMIHOW | 型號:HFS2N60S/HFS2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-IMP/高輸入阻抗 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2.0 | 開啟電壓:220 | 夾斷電壓:600 | 極間電容:420 | 最大耗散功率:0.22

品牌:HX | 型號:HX2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導:70 | 最大漏極電流:1900 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數:30 | 極間電容:30 | 最大耗散功率:44000

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK3292-TD-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCB11N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:NIKOSEM | 型號:PZ2N7002M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:36 | 最大耗散功率:1

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXFX52N60Q2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:N-FET硅N溝道