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品牌:華晶 | 型號:CS4N60FA9HD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:進口 | 型號:ST NE555 NE555N | 封裝:*

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:47N60C3 47N60CFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40U IRG4PC40U IRGPC40U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:進口 | 型號:G23N60UF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGPS40B120UD GPS40B120UD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP140 IRFP9140 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC60 IRFPC60LC | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:SAK日本三肯 | 型號:K1181 2SK1181 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:進口 | 型號:MTW20N50E | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA40N25 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:SANKEN | 型號:SE140 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 類型:穩壓IC | 批號:2010+ | 封裝:TO-220

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K3505 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:6 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:功率

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44N | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:* | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:* | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:合金型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1351 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:*大功率 | 擊穿電壓VCBO:大功率 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:大功率 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:*大功率 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:功率

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF6N60 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:6 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:功率

品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:BU808DI | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:K2141 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:100 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:6 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:600 | 應用范圍:功率

品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:87N03 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:87 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:合金型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:30V | 應用范圍:功率