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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2611 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:9 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:900 | 應用范圍:功率

品牌:Hitachi/日立 | 型號:K1170 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:* | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:* | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率

品牌:ST/意法 | 型號:W15NB50 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:功率

類型:穩壓IC | 品牌:ST-仙童 | 型號:LM317 | 功率:1 | 用途:電視機 | 封裝:TO-220 | 批號:317

類型:其他IC | 品牌:進口 | 型號:F9222L | 封裝:*

類型:其他IC | 品牌:進口 | 型號:F9222L | 用途:電視機 | 封裝:*

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 10N60:10A 600V

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:10N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | N:N

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI9630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 屬性:ID=-4.3A VDS=-200V PNP/GDS PD=35W

建議零售價:¥2.30 | 類型:穩壓IC | 品牌:TC | 型號:TC427CPA | 功率:15 | 用途:功放 | 封裝:DIP | 批號:12

品牌:ST | 型號:75N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

應用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SC3552 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

加工定制:否 | 品牌:YASKAWA/安川 | 型號:SGDM-10ADA | 功率:1（KW） | 額定電壓:220（V） | 產品認證:CCC | 速度響應頻率:0.05-0.06（KHz） | 適用電機:SGMGH-13ACA61

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR2905 | 功率:5 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝:SOT-252 | 批號:12NPB | 最大漏極電流:5 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數:5

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 低頻跨導:5

品牌:進口廠家 | 型號:IRF720，IRF820，IRF4905L，IRF5303，IR2520D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.5 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數:0.001 | 極間電容:2600 | 最大耗散功率:1900

品牌:江蘇東光 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:品牌：進口和國產 | 型號:FQP2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | FQP2N60:2A 600V 品牌：進口和國產