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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740.IRF730 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:進口拆機 | 型號:IRF40A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSF7509 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:054NE8N 045N10N 039N04L 015N04N 08CN10N 16CN10N 03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:IR | 型號:IRL3303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFL3303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFL3705N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:IRF740 IRF740S | 材料:硅(Si)

品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:07N60C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

類型:電源模塊 | 品牌:三菱 | 型號:QM400HA-2HB | 電源電流:QM400HA-2HB | 電源電壓:IGBT模塊 | 功率:IGBT模塊 | 針腳數:IGBT模塊 | 用途:儀器 | 封裝:IGBT模塊 | 批號:2014+

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H30R1602 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

類型:穩壓IC | 品牌:進口名牌 | 型號:FQA15N120 2SK2611 LM7824 LM7905 5M0265 5M0280 | 功率:20W-150W | 用途:電視機 | 封裝:TO220 TO3P TO263 | 批號:拆機

品牌:華晶 | 型號:國產拆機20N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60C3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 20a:600v

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:24N50 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:進口 | 型號:20N50.20N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:. | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.