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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR9343TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:13+ | 封裝:TO252

品牌:IR/國際整流器，其他，其他 | 型號:IRFZ24NS，三極管，F(xiàn)Z244NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:A | 封裝形式:貼片/插件 | 截止頻率fT:A

品牌:其他 | 型號:SI2301DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

品牌:其他 | 型號:SI2302DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

類型:其他IC | 品牌:aos | 型號:AO4712 | 功率:AO4712 | 用途:電視機(jī) | 封裝:SOP-8 | 批號:2013+

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON4703 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 封裝形式:DFN3X2-8L | 類別:貼片 | 應(yīng)用范圍:其他

品牌:其他 | 型號:BSP41 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:ISS193 | 類型:其他IC | 功率:MOS | 批號:13+ | 封裝:SOT-23

品牌:AO | 型號:AO4490 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

品牌:SI | 型號:SI2301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 批號:12 | 封裝:貼片SOT23

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302DS | 種類:其他 | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 封裝形式:貼片型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3476 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 類型:其他IC | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 加工定制:否 | 封裝材料:塑料封裝 | 擊穿電壓VCEO:/ | 應(yīng)用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:CES | 型號:CES2312 | 封裝:SOT-23 | 批號:11+

品牌:其他 | 型號:SI2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

品牌:正品 | 型號:FDS4435 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 類型:其他 | 批號:2014+ | 封裝:標(biāo)準(zhǔn)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD4N60C 4N60 FQD5N60C 5N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:4A 5A | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:0

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDV303N FDV304P | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:120

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN337N FDN338P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:120

品牌:Vishay/威世通 | 型號:55000 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:SOT-23

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI6433DQ-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 類型:其他IC | 批號:以實(shí)物為準(zhǔn) | 封裝:TSSOP-8