品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD12P10TM | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
50-999 個
¥2.10
1000-4999 個
¥1.90
≥5000 個
¥1.85
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD8444 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個
¥1.50
≥100 個
¥0.90
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:ISL9N312AD3ST | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
10-99 個
¥1.00
≥100 個
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 P 溝道(雙) | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
100-999 個
¥0.90
1000-4999 個
¥0.82
≥5000 個
¥0.78
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN338P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
300-2499 個
¥0.55
2500-9999 個
¥0.48
≥10000 個
¥0.45
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:D15P05 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 封裝形式:貼片型 | 應用范圍:功率
≥2500 千克
¥0.56
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC6305N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2.7A
≥1 個
¥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDV301N-NL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:1 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(SI)
1-499 個
¥0.40
500-2999 個
¥0.30
≥3000 個
¥0.28
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQN18N20 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥0.95
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC6401N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 加工定制:否 | 應用范圍:振蕩
≥1 K
¥80.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD4N60C 4N60 FQD5N60C 5N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:4A 5A | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:0
≥10 千克
¥0.75
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDV303N FDV304P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:120
≥10 千克
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN337N FDN338P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:120
≥10 千克
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS6690 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥2500 個
¥0.55
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDV301N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 批號:13+ | 封裝:SOT-23
≥10 個
¥0.30
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN338 | 種類:絕緣柵(MOSFET),絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道,P溝道 | 導電方式:增強型,增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝,SMD(SO)/表面封裝 | 功率耗散:0.5W | 工作溫度:-55℃~+150℃
≥10 個
¥0.22
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N7002MTF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:22 | 擊穿電壓VCBO:22 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:22 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:22 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率