應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):CJ2302 S2 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
≥3000 PCS
¥0.06
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:APEC/富鼎 | 型號(hào):AP9997GH 9997GH | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-252
≥1 個(gè)
¥0.95
品牌:SILAN | 型號(hào):SVF2N60 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥1000 個(gè)
¥0.10
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):Si4946BEY | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:RCR | 型號(hào):RCR1521SI M21 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
10-2999 PCS
¥0.30
≥3000 PCS
¥0.12
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2315 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
300-2999 個(gè)
¥0.45
3000-8999 個(gè)
¥0.40
≥9000 個(gè)
¥0.38
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2314 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
300-2999 個(gè)
¥0.40
3000-8999 個(gè)
¥0.32
≥9000 個(gè)
¥0.28
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):ISL9N312AD3ST | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
10-99 個(gè)
¥1.00
≥100 個(gè)
¥0.50
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2313DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
100-2999 個(gè)
¥0.85
3000-8999 個(gè)
¥0.55
≥9000 個(gè)
¥0.48
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2300 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
300-2999 個(gè)
¥0.30
3000-8999 個(gè)
¥0.25
≥9000 個(gè)
¥0.22
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2311DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
300-2999 個(gè)
¥0.60
3000-8999 個(gè)
¥0.52
≥9000 個(gè)
¥0.48
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2306 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
300-2999 個(gè)
¥0.80
3000-8999 個(gè)
¥0.40
≥9000 個(gè)
¥0.35
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2303 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
300-2999 個(gè)
¥0.25
3000-8999 個(gè)
¥0.23
≥9000 個(gè)
¥0.21
品牌:其他 | 型號(hào):SI2301DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥1 個(gè)
¥0.10
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2305 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
300-2999 個(gè)
¥0.30
3000-8999 個(gè)
¥0.25
≥9000 個(gè)
¥0.23
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDN338P | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
300-2499 個(gè)
¥0.55
2500-9999 個(gè)
¥0.48
≥10000 個(gè)
¥0.45
品牌:其他 | 型號(hào):SI2302DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥1 個(gè)
¥0.11
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2302DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.15
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電/CJ | 型號(hào):SI2305 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:貼片
100-999 PCS
¥0.10
1000-999999 PCS
¥0.09
≥1000000 PCS
¥0.08
應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3356 R25 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
≥1 PCS
¥0.15