品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON6752 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TPC8032 TPC8033 TPC8034 TPC8035 TPC8036 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
¥1.00
品牌:AO | 型號(hào):AO4408 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:線性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個(gè)
¥0.70
1000-4999 個(gè)
¥0.62
≥5000 個(gè)
¥0.58
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF620S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥2.00
100-999 個(gè)
¥1.80
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):Si4946BEY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFH7107TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD45NF75T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥1.50
≥100 個(gè)
¥1.35
品牌:AO | 型號(hào):AOD412 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
300-999 個(gè)
¥0.50
1000-9999 個(gè)
¥0.45
≥10000 個(gè)
¥0.42
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB25NM50N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
50-999 個(gè)
¥3.20
1000-4999 個(gè)
¥3.05
≥5000 個(gè)
¥2.98
品牌:AO | 型號(hào):AO4800 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:電子琴 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-2999 個(gè)
¥0.85
3000-8999 個(gè)
¥0.80
≥9000 個(gè)
¥0.78
品牌:AO | 型號(hào):AO7801 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-2999 個(gè)
¥0.60
3000-8999 個(gè)
¥0.55
≥9000 個(gè)
¥0.52
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2314 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
300-2999 個(gè)
¥0.40
3000-8999 個(gè)
¥0.32
≥9000 個(gè)
¥0.28
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD8444 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥1.50
≥100 個(gè)
¥0.90
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFR9024N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥1.00
≥100 個(gè)
¥0.80
品牌:IR/國(guó)際整流器,其他,其他 | 型號(hào):IRFZ24NS,三極管,F(xiàn)Z244NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:A | 封裝形式:貼片/插件 | 截止頻率fT:A
≥100 千克
¥2.90
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB60NF06L-16 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥2.00
≥100 個(gè)
¥1.50
品牌:TOREX | 型號(hào):XP151A13COMR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
200-2999 個(gè)
¥0.55
3000-8999 個(gè)
¥0.48
≥9000 個(gè)
¥0.45
品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):PMGD280UN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-999 個(gè)
¥0.50
≥1000 個(gè)
¥0.45
品牌:AO | 型號(hào):AOD4184 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
300-1999 個(gè)
¥1.20
2000-9999 個(gè)
¥1.05
≥10000 個(gè)
¥0.98
品牌:ALJ | 型號(hào):AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TC/小型器件標(biāo)志 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
¥0.14