品牌:ANPEC 臺灣茂達 | 型號:APM4953KC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
100-2999 個
¥1.00
3000-8999 個
¥0.80
≥9000 個
¥0.78
品牌:ANPEC | 型號:APM9435KC-TRG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
100-2499 個
¥0.75
2500-9999 個
¥0.68
≥10000 個
¥0.65
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2315 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
300-2999 個
¥0.45
3000-8999 個
¥0.40
≥9000 個
¥0.38
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2314 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
300-2999 個
¥0.40
3000-8999 個
¥0.32
≥9000 個
¥0.28
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2313DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
100-2999 個
¥0.85
3000-8999 個
¥0.55
≥9000 個
¥0.48
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2300 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
300-2999 個
¥0.30
3000-8999 個
¥0.25
≥9000 個
¥0.22
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2311DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
300-2999 個
¥0.60
3000-8999 個
¥0.52
≥9000 個
¥0.48
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
300-2999 個
¥0.80
3000-8999 個
¥0.40
≥9000 個
¥0.35
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃
300-2999 個
¥0.25
3000-8999 個
¥0.23
≥9000 個
¥0.21
品牌:GS/晶群 | 型號:GS4953 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
200-999 個
¥0.52
1000-9999 個
¥0.45
≥10000 個
¥0.43
品牌:st | 型號:STP75N68 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥1000 個
¥0.30
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2231,2SK2231 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*
≥1000 個
¥0.50
品牌:AO | 型號:AO4612 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:SOP-8
10-499 個
¥1.00
≥500 個
¥0.60
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SK3018 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:SOT-23 SOT323
10-999 個
¥0.10
≥1000 個
¥0.08
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2305 SI2306 SI2307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:SOT23 | 應用范圍:放大
≥3000 千克
¥0.01