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  1. 貼片mos管
    • 貼片場效應晶體管場效應管mos管MOSFET APM4953KC

      品牌:ANPEC 臺灣茂達 | 型號:APM4953KC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 100-2999 個

      ¥1.00

    • 3000-8999 個

      ¥0.80

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      ¥0.78

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    • P溝道貼片場效應晶體管mos管 MOSFET APM9435KC-TRG

      品牌:ANPEC | 型號:APM9435KC-TRG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 100-2499 個

      ¥0.75

    • 2500-9999 個

      ¥0.68

    • ≥10000 個

      ¥0.65

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    • 貼片場效應晶體管 MOSFET SI2315 VISHAY

      品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2315 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 300-2999 個

      ¥0.45

    • 3000-8999 個

      ¥0.40

    • ≥9000 個

      ¥0.38

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    • 貼片場效應晶體管 MOSFET SI2314EDS VISHAY

      品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2314 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 300-2999 個

      ¥0.40

    • 3000-8999 個

      ¥0.32

    • ≥9000 個

      ¥0.28

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    • 貼片場效應晶體管 SI2313DS VISHAY

      品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2313DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 100-2999 個

      ¥0.85

    • 3000-8999 個

      ¥0.55

    • ≥9000 個

      ¥0.48

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    • 貼片場效應晶體管 MOSFET SI2300 mos管場效應管

      品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2300 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 300-2999 個

      ¥0.30

    • 3000-8999 個

      ¥0.25

    • ≥9000 個

      ¥0.22

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    • 貼片場效應晶體管 MOSFET SI2311DS VISHAY

      品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2311DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 300-2999 個

      ¥0.60

    • 3000-8999 個

      ¥0.52

    • ≥9000 個

      ¥0.48

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    • Vishay威世通貼片場效應晶體管 MOSFET SI2306DS

      品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 300-2999 個

      ¥0.80

    • 3000-8999 個

      ¥0.40

    • ≥9000 個

      ¥0.35

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    • 貼片場效應晶體管 MOSFET SI2303

      品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

    • 300-2999 個

      ¥0.25

    • 3000-8999 個

      ¥0.23

    • ≥9000 個

      ¥0.21

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    • 貼片場效應晶體管場效應管mos管MOSFET GS4953

      品牌:GS/晶群 | 型號:GS4953 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

    • 200-999 個

      ¥0.52

    • 1000-9999 個

      ¥0.45

    • ≥10000 個

      ¥0.43

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    • 貼片場效應管K2231,2SK2231,6年通會員

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2231,2SK2231 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*

    • ≥1000 個

      ¥0.50

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    • 場效應管 貼片三極管 2SK3018

      品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SK3018 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:SOT-23 SOT323

    • 10-999 個

      ¥0.10

    • ≥1000 個

      ¥0.08

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