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品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMV65XP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2315 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 漏源電壓VDS:－20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

品牌:富鼎 | 型號:72T02 72T02GH | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:DW01 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:英科萊 | 型號:AO3402 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 屬性:屬性值

品牌:英科萊 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 屬性:屬性值

品牌:英科萊 | 型號:2N7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 屬性:屬性值

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD4N60C 4N60 FQD5N60C 5N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:4A 5A | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:0

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDV303N FDV304P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:120

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN337N FDN338P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:120