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品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3413 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AO | 型號(hào):AOD4184 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AO | 型號(hào):AOZ1015AI | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4405 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AON4703 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 封裝形式:DFN3X2-8L | 類(lèi)別:貼片 | 應(yīng)用范圍:其他

品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3445DV-T1-E3 全系VISHAY貼片 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:SENSEFET電流敏感

品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO6804 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF7105 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SUB85N03 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 跨導(dǎo):-- | 最大漏極電流:價(jià)格優(yōu)勢(shì) | 開(kāi)啟電壓:30 | 夾斷電壓:-- | 低頻噪聲系數(shù):質(zhì)量可靠 | 極間電容:自己現(xiàn)貨 | 最大耗散功率:歡迎咨詢(xún)

品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3401 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:4200 | 開(kāi)啟電壓:12 | 夾斷電壓:30 | 極間電容:77 | 最大耗散功率:1400