品牌:OGFD | 型號(hào):HS37 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO3413 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
1-999 個(gè)
¥0.30
1000-2999 個(gè)
¥0.25
≥3000 個(gè)
¥0.20
品牌:AO | 型號(hào):AO4619 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
300-2999 個(gè)
¥1.00
3000-8999 個(gè)
¥0.92
≥9000 個(gè)
¥0.88
品牌:APM茂達(dá) | 型號(hào):APM2301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
300-2999 個(gè)
¥0.30
3000-8999 個(gè)
¥0.25
≥9000 個(gè)
¥0.22
品牌:AO | 型號(hào):AO4407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
100-2999 個(gè)
¥0.75
3000-8999 個(gè)
¥0.62
≥9000 個(gè)
¥0.58
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDS9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個(gè) P 溝道(雙) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
100-999 個(gè)
¥0.90
1000-4999 個(gè)
¥0.82
≥5000 個(gè)
¥0.78
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 漏源電壓VDS:-20V | 最大功耗PD:1.25W | 結(jié)溫:55℃to+150℃
300-2999 個(gè)
¥0.80
3000-8999 個(gè)
¥0.40
≥9000 個(gè)
¥0.35
品牌:GS/晶群 | 型號(hào):GS4953 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
200-999 個(gè)
¥0.52
1000-9999 個(gè)
¥0.45
≥10000 個(gè)
¥0.43
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO4405 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AON4703 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 封裝形式:DFN3X2-8L | 類別:貼片 | 應(yīng)用范圍:其他
10-999 個(gè)
¥1.00
1000-2999 個(gè)
¥0.80
≥3000 個(gè)
¥0.50
品牌:仙童 | 型號(hào):NDS351AN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
¥0.15
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2301BDS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
100-999 個(gè)
¥0.15
1000-2999 個(gè)
¥0.12
≥3000 個(gè)
¥0.09
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SJ305 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 封裝形式:SOT-23 | 產(chǎn)品類型:肖特基管 | 應(yīng)用范圍:功率
1000-9999 千克
¥0.28
≥10000 千克
¥0.25
品牌:AO | 型號(hào):AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 盤
¥0.20
品牌:AO | 型號(hào):AO4435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
10-499 個(gè)
¥1.50
≥500 個(gè)
¥0.50
品牌:SI | 型號(hào):SI2301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):12 | 封裝:貼片SOT23
≥100 個(gè)
¥0.10
品牌:AP | 型號(hào):AP4835GM | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥5000 個(gè)
¥0.80
品牌:浩輝 | 型號(hào):Si2307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 熱銷:廠家直銷
≥3 K
¥180.00
品牌:GT | 型號(hào):GT4953BDY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥100 個(gè)
¥0.60
品牌:ME | 型號(hào):MEM2301XG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道