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品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si4946BEY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2315 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 漏源電壓VDS:－20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2314 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 漏源電壓VDS:－20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2313DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 漏源電壓VDS:－20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2300 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:－20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2311DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 漏源電壓VDS:－20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 漏源電壓VDS:－20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 漏源電壓VDS:－20V | 最大功耗PD:1.25W | 結溫:55℃to+150℃

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2305 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SIHFZ48S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3445DV-T1-E3 全系VISHAY貼片 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:SENSEFET電流敏感

類型:通信IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI4886DY | 電源電壓:/ | 功率:/ | 頻率:/ | 用途:/ | 封裝:SOP8 | 批號:14+

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2301BDS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI4838DY-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:DIFF/差分放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302DS | 種類:其他 | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 封裝形式:貼片型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUB85N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 跨導:-- | 最大漏極電流:價格優勢 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:-- | 低頻噪聲系數:質量可靠 | 極間電容:自己現貨 | 最大耗散功率:歡迎咨詢

品牌:Vishay/威世通 | 型號:55000 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:SOT-23

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI6433DQ-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:TSSOP-8

類型:其他IC | 品牌:VISHAY | 型號:SI2302DS | 功率:W | 封裝:SOT-23 | 批號:以實物為準